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乐鱼体育-闪存厂商营收排名;大基金三期成立;三星传出罢工
2024-10-27

“芯”闻摘要

NAND Flash厂商营收排名CoWos产能及MLCC出货预估大基金三期发布三部门:推动AI芯片等标准研制两项IC国家标准发布俄罗斯首台光刻机完成三星传出罢工

1NAND Flash厂商营收排名

根据TrendForce集邦咨询研究,受惠于AI 服务器自二月起扩大采用Enterprise SSD,大容量订单开始涌现,以及PC、智能手机客户为因应价格上涨,持续提高库存水位,带动2024年第一季NAND Flash量价齐扬,营收季增28.1%,达147.1亿美元。

其中,三星第一季营收季增28.6%,达54亿美元,稳居市场首位;SK集团第一季营收季增31.9%,达32.7亿美元;铠侠第一季营收季增26.3%,达18.2亿美元;值得一提的是,本季排名变动最大在于美光超越西部数据,位居第四名,第一季营收成长幅度以51.2%居冠,达17.2亿美元...详情请点击《美光超越西数,Q1 NAND Flash品牌厂商最新营收排名出炉》

此外,受到供应商减产影响,自2023年第四季起涌进的大容量订单需求尚未被完全满足,加上其它终端产品欲凭借建置低价库存的采购策略而扩大订单。

同时,AI服务器带动大容量存储需求明显成长,部分北美客户开始扩大采用QLC大容量SSD取代HDD,带动第一季Enterprise SSD采购位元季增逾两成,在量价齐涨的情况下,2024年第一季Enterprise SSD营收达37.58亿美元,季增62.9%...详情请点击《大容量存储需求带动,Q1 Enterprise SSD营收季增62.9%》

2CoWos产能及MLCC出货预估

根据TrendForce集邦咨询研究,属Blackwell平台的B100等,其裸晶尺寸(die size)是既有H100翻倍,估计台积电(TSMC)2024年CoWos总产能年增来到150%,随着2025年成为主流后,CoWos产能年增率将达7成,其中NVIDIA需求占比近半。

HBM方面,随着NVIDIA GPU平台推进,H100主搭载80GB的HBM3,至2025年的B200将达搭载288GB的HBM3e,单颗搭载容量将近3~4倍成长。而据三大原厂目前扩展规划,2025年HBM生产量预期也将翻倍...详情请点击《英伟达Blackwell出货在即,预估2025年CoWos总产能年增率逾70%》

此外,据TrendForce集邦咨询观察,预期2024年第一季MLCC出货量应该是近三季的谷底,第二季ODM手中订单除AI服务器(AI Server)需求稳步成长,其余消费性电子因传统季节性的招标项目需求低,以及中国五一长假、618电商节庆备货动能不足,表现均不如预期。

整体而言,受惠于来自AI服务器的订单需求支撑,以及ICT产品需求虽不见节庆备货的高成长,但仍较第一季维持低成长,助益产能稼动率逐渐回稳,因此预估第二季MLCC出货量将季增6.8%,达12,345亿颗,同步带动第二季营收呈现小幅成长...详情请点击《预估Q2 MLCC出货量季增6.8%,AI服务器备货需求仍一枝独秀》

3大基金三期发布

据企查查及国家企业信用信息公示系统显示,国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司(以下简称“大基金三期”)于5月24日正式成立,注册资本3440亿元,法定代表人为张新。随后,中国银行、建设银行、农业银行、邮储银行等国有六大行发布公告,证实了向国家大基金三期出资事项。

图片来源:企查查截图

大基金三期本轮投资与大基金第一期、大基金第二期在投资规模、参股方组成、投资周期等方面都有许多不同,其中对于大基金三期未来投资的半导体产业链方向更是成为行业关注的焦点...详情请点击《国家大基金三期正式发布!3440亿元将力挺半导体哪些领域?》

4三部门:推动AI芯片等标准研制

近日,中央网信办、市场监管总局、工业和信息化部联合印发《信息化标准建设行动计划(2024—2027年)》(以下简称《行动计划》)。

《行动计划》提到,要推进关键信息技术、数字基础设施、数据资源、产业数字化、信息惠民、数字文化及数字化绿色化协同发展等8个重点领域的标准研制,并且围绕上述领域作出了22项工作部署。

同时围绕集成电路关键领域,加大先进计算芯片、新型存储芯片关键技术标准攻关,推进人工智能芯片、车用芯片、消费电子用芯片等应用标准研制。《行动计划》还指出,要布局新兴技术领域标准。完善人工智能标准,强化通用性、基础性、伦理、安全、隐私等标准研制。加快推进大模型、生成式人工智能标准研制...详情请点击《工信部等三部门:加大新型存储芯片关键技术标准攻关》

5两项IC国家标准发布

近日,国家市场监督管理总局(国家标准管理委员会)发布2024年第6号公告,《大规模集成电路(LSI)-封装-印制电路板共通设计结构》和《集成电路封装设备远程运维状态监测》两项国家标准正式发布。

其中,《大规模集成电路(LSI)-封装-印制电路板共通设计结构》标准由TC47(全国印制电路标准化技术委员会)归口,主管部门为工业和信息化部(电子),将于2024年8月1日起正式实施。

据“中电太极集团”介绍,《大规模集成电路(LSI)-封装-印制电路板共通设计结构》标准为大规模集成电路、封装基板及封装的设计提供了统一的格式和规则要求,为相关方设计数据的交换和处理、信息和结果的共享提供了统一遵循的原则...详情请点击《即将实施!两项集成电路国家标准正式发布》

6俄罗斯首台光刻机制造完成

5月25日消息,据外媒报道称,俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试。俄罗斯联邦工业和贸易部副部长瓦西里-什帕克指出,该设备可确保生产350nm(0.35μm)的芯片。

公开资料显示,350纳米尺寸芯片在当代较为落后,但是仍然可以应用于汽车、能源和电信等多个行业。该光刻机的研制成功对于俄罗斯未来实现自主生产芯片具有里程碑意义。

目前,全球光刻机的主要玩家依旧以ASML、尼康、佳能三家为主。据外媒公开消息,俄罗斯目前主有两家主要的晶圆厂,分别是Mikron和Angstrem公司,前者提供65-250nm芯片制造能力...详情请点击《350nm,俄罗斯光刻机制造完成》

7三星传出罢工

三星电子传出将在6月7号发动罢工,根据TrendForce集邦咨询了解,三星本次罢工事件不会对旗下DRAM及NAND Flash生产造成冲击,也未有出货短缺情况发生。

同时,本周起截至目前,DDR5、DDR4、NAND Flash wafer等产品的现货价格,在罢工宣布前已连日下跌,事件宣布后也并未有任何变化。

以位元产出市占率来看,2023年三星在全球DRAM及NAND Flash占比分别是46.8%及32.4%。即便韩国厂区拥有DRAM全部的市占率,NAND Flash占比约17.8%...详情请点击《三星将迎来罢工,存储器产业有何影响?》

封面图片来源:拍信网



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