5月27日，甬矽电子发布公告称，公司拟向不特定对象发行可转换公司债券的募集资金总额不超过12亿元，扣除发行费用后的募集资金净额将用于多维异构先进封装技术研发及产业化项目、补充流动资金及偿还银行借款。

根据公告，甬矽电子本项目总投资额为14.64万元，拟使用募集资金投资额为9亿元。实施地点位于公司浙江宁波的二期工厂，届时将购置临时健合设备、机械研磨设备、化学研磨机、干法刻硅机、化学气相沉积机、晶圆级模压机、倒装贴片机、助焊剂清洗机、全自动磨片机等先进的研发试验及封测生产设备，同时引进行业内高精尖技术、生产人才，建设与公司发展战略相适应的研发平台及先进封装产线。

公告指出，该项目建成后，甬矽电子将开展“晶圆级重构封装技术（RWLP）”、“多层布线连接技术（HCOS-OR）”、“高铜柱连接技术（HCOS-OT）”、“硅通孔连接板技术（HCOS-SI）”和“硅通孔连接板技术（HCOS-AI）”等方向的研发及产业化，并在完全达产后形成年封测扇出型封装（Fan-out）系列和 2.5D/3D 系列等多维异构先进封装产品9万片的生产能力。本项目的实施将进一步深化公司在先进封装领域的业务布局，持续提升公司核心竞争力。

在先进晶圆级封装技术方面，甬矽电子表示公司已有一定的技术储备，包括对先进制程晶圆进行高密度、细间距重布线的技术（RedistributionLayer，即 RDL）、晶圆凸块技术（Bumping）、扇入（Fan-in）技术等。同时，公司还在积极开发扇出（Fan-out）封装、蚀刻技术等晶圆级多维异构封装技术，并已取得了部分发明专利。

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