据中国台湾中时新闻网报道，南亚科在29日的年度股东常会上表示，其首款1C nm制程DRAM内存产品16Gb DDR5颗粒将于明年初进入试产阶段。

目前，南亚科10nm第二代1B制程技术，除了3颗产品正在试产中，涵盖8/4Gb DDR4内存和16Gb DDR5内存。南亚科表示其首批DDR5内存将在下半年少量试产，明年进一步提升产量。另外在设计开发中有4颗产品，包括16Gb DDR5的微缩版、16Gb LPDDR4、16Gb LPDDR5以及4Gb DDR3，也将逐步进入试产。同时，今年南亚科将同步开发TSV技术，未来将结合DDR5内存颗粒和该技术，制造高容量的（3DS）DRAM内存模组，满足服务器市场的需求。

此外，南亚科技表示，在每个制程世代都达到30%的位元提升速度，目前正同比利时imec微电子研究中心合作，为采用EUV光刻机的先进DRAM制程做准备。

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